全球供電產品廠商國際整流器公司（IR），推出採用TSOP-6封裝的IRF5810雙重MOSFET晶體管，將兩個P通道(P-channel) HEXFET功率MOSFET結合於單一元件，設計面積僅為1.3 x 2.9毫米。新的解決方案成功把MOSFET數量減半，更可節省50% 設計面積，最適合空間有限的應用系統。設計人員可利用IRF5810取代兩個獨立TSOP-6負載開關 (load switches)，簡化系統設計。新元件還可減低取放成本 (pick and place costs)，降低整體系統成本和改善生產量。IRF5810適用於行動電話、PDA、MP3播放器、筆記型電腦及PCMCIA卡的負載及電池管理電路(load and battery management circuits)。

IRF5810

IR表示，相較於業界採用TSOP-6封裝的同類型雙重MOSFET，IRF5810的元件導通電阻(device on-resistance, RDS(on)) 低出40%。封裝內每個MOSFET能以90mOhms RDS(on)運作。導通電阻的降低有助於提升系統效率，因此可延長電池壽命。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF5810能在有限的印刷電路板空間內擁有最大效能，最適用於手提式電子應用系統。該元件特別為體積最小的應用系統量身訂作，可滿足嚴格功能需求。在現今的手提應用系統市場中，IRF5810是性能最高的TSOP-6封裝雙重MOSFET。」

TSOP-6封裝內配備創新的擴展式引線框架(extended leadframe)，可擴大每個晶片的尺寸空間。這種嶄新引線框架可增強電流性能及導通效率(on-state efficiency)，但同樣可適配於標準的TSOP-6設計。IRF5810可在負載管理電路中取代兩個TSOP-6元件，或在電池管理電路(battery management circuits)中取代一個體積更大的TSSOP-8封裝雙重MOSFET。TSOP-6封裝 (2.9 x 1.3毫米) 的面積較TSSOP-8 (2.9 x 4.3毫米) 小70%。