国际整流器公司(IR)推出两款新型P信道HEXFET功率MOSFET组件－IRF6216及IRF6217。新组件特别适用于隔离式DC-DC转换器中的动态钳位重设电路。两款150V的组件均采用SO-8封装，其导通电阻相较于上一代采用体积较大的D-Pak封装之P信道组件更低15%。由于新组件透过更小的封装且提供更高的效率，因此能缩减电信及数据通讯设备中功率系统的体积与成本。

IR表示，新型MOSFET能强化48V输入隔离式DC-DC转换器的动态钳位重设电路，包括采用正向 (forward) 转换器、返驰 (Flyback) 或同类型电路布置技术的设计。采用P信道MOSFET取代N信道MOSFET，可省却装置高位闸驱动器的需要，并有助于简化驱动电路。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「随着功率密度的要求不断提升，网络及通讯设备制造商均以体积更轻巧的八份一砖DC-DC转换器，取代体积较大的四份一砖转换器，且可节省将近40%的空间。我们的新型MOSFET不仅有助于提高功率密度与效率，并可满足系统成本的要求。」

该公司表示，IRF6216及IRF6217组件可让设计人员利用小的空间设置动态电路，以重设首次启动时产生的变压器磁心通量 (Transformer Core Flux)。IRF6216的导通电阻最低可达24mOhms，可在采用气隙变压器、磁化电流更高的电路中减低传导损耗。IRF6217则拥有极低的闸电荷 (QG) ，可在磁化电流较低的电路中进行高频转换。