國際整流器公司(IR)推出兩款新型P通道HEXFET功率MOSFET元件－IRF6216及IRF6217。新元件特別適用於隔離式DC-DC轉換器中的動態鉗位重設電路。兩款150V的元件均採用SO-8封裝，其導通電阻相較於上一代採用體積較大的D-Pak封裝之P通道元件更低15%。由於新元件透過更小的封裝且提供更高的效率，因此能縮減電信及數據通訊設備中功率系統的體積與成本。

IR表示，新型MOSFET能強化48V輸入隔離式DC-DC轉換器的動態鉗位重設電路，包括採用正向 (forward) 轉換器、返馳 (Flyback) 或同類型電路佈置技術的設計。採用P通道MOSFET取代N通道MOSFET，可省卻裝置高位閘驅動器的需要，並有助於簡化驅動電路。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「隨著功率密度的要求不斷提升，網路及通訊設備製造商均以體積更輕巧的八份一磚DC-DC轉換器，取代體積較大的四份一磚轉換器，且可節省將近40%的空間。我們的新型MOSFET不僅有助於提高功率密度與效率，並可滿足系統成本的要求。」

該公司表示，IRF6216及IRF6217元件可讓設計人員利用小的空間設置動態電路，以重設首次啟動時產生的變壓器磁心通量 (Transformer Core Flux)。IRF6216的導通電阻最低可達24mOhms，可在採用氣隙變壓器、磁化電流更高的電路中減低傳導損耗。IRF6217則擁有極低的閘電荷 (QG) ，可在磁化電流較低的電路中進行高頻轉換。