全球功率半导体及管理方案厂商－国际整流器公司（International Rectifier）推出全新IRF7338组件，把一对互相补足的12V N信道及P信道HEXFET功率MOSFET融合于单一SO-8封装。与其他解决方案比较起来，IRF7338是一款极具经济效益的组件，适用于不同装置的实时起动电路，包括USB埠、具双倍数据速率 (DDR) 的动态随机存取内存 (DRAM) 应用系统，以及其他需利用单极双投 (Single-pole Double-throw，简称SPDT) 组件在待机电压和核心电压轨道间进行切换的电路。SPDT开关配备单一控制输出，可驱动单一或其他电路路径，依照控制输入的高低而定。

IR表示，IRF7338组件以简单的运算放大器 (op-amp) 驱动，能在DDR内存应用中为终断终端电压 (VTT) 提供交替来源和散热路径。在USB应用中，这款采用联合封装的新MOSFET能把USB埠实时切换于5V待机轨道和5V核心轨道之间。在PCI应用中，该组件更可切换于3.3V待机轨道和3.3V核心轨道。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「IRF7338经过优化，适用于支持先进配置电源接口 (ACPI) 的计算机，提供待机与全功率状态之间的快速切换。ACPI接口适用于笔记本电脑、桌面计算机及服务器，有助于电源系统资源管理、节省能源使用，同时可将电池寿命延至最长。」IRF7338的P信道部分可切换高至3A的电流，N信道部分则可切换高至6.3A的电流。两组组件的栅电荷极低，有助于简化栅驱动电路的设计。