RF MicroDevices宣布，该公司已开始为顶级手机制造商生产并发运全球最小的支持EDGE 的四频带功率放大器模块。高度整合的30 平方毫米四频带GSM/GPRS/EDGE (GSM850/GSM900/DCS/PCS) 功率放大器模块充分利用在低成本层压基板封装及GaAs HBT 整合技术方面的创新，提供了无与伦比的功能与性能水平，并且与上一代组件相比，其底面积缩小了75%。在尺寸方面的巨大降低节省了宝贵的客户板级空间，并且实现了EDGE 手机中其他特性与功能的整合。该模块还包括整合的电源检测，因此取消了对外部陶瓷耦合器、检测器二极管和多个无源组件的需要。

负责RF Micro Devices 无线产品副总裁EricCreviston 表示，「底面积仅30 平方毫米，高度只有1.5 毫米，这是当今市场上最小的、技术最先进且支持EDGE 的四频带功率放大器，我们非常高兴宣布已开始.顶级手机制造商进行生.发运，以实现该.品在多种手机中的使用。通过设计、开发及快速加大生.创新的高整合度功率放大器解决方案，我们能够使客户将功能丰富的下一代手机更快地推向市场。」

RFMD表示，其四频带PA 提供了性能、成本、尺寸与功能的业界最佳组合。该公司能够将此产品的底面积缩小到业界领先的30 平方毫米，这一能力主要归功于RFMD在产品工程设计中的领先地位及其在GaAs HBT 技术方面的丰富经验，RFMD 首先采用了GaAs HBT 技术，并将其作为蜂窝功率模块的首选半导体工艺技术推向了市场主导地位。在当前及下一代PA 制造中，GaAs HBT 具有不同于其他技术的独特优势，例如功率添加效率。功率添加效率对手机制造商来说极.关键，因.这是电池使用寿命的主要决定因素。在下一代手机中推出新耗电功能（例如彩屏、照相机及MP3播放器）的驱使下，手机制造商进一步加强了对更高水平功率添加效率的重视。