RF MicroDevices宣佈，該公司已開始為頂級手機製造商生產並發運全球最小的支援EDGE 的四頻帶功率放大器模組。高度整合的30 平方毫米四頻帶GSM/GPRS/EDGE (GSM850/GSM900/DCS/PCS) 功率放大器模組充分利用在低成本層壓基板封裝及GaAs HBT 整合技術方面的創新，提供了無與倫比的功能與性能水平，並且與上一代元件相比，其底面積縮小了75%。在尺寸方面的巨大降低節省了寶貴的客戶板級空間，並且實現了EDGE 手機中其他特性與功能的整合。該模組還包括整合的電源檢測，因此取消了對外部陶瓷耦合器、檢測器二極體和多個無源元件的需要。

負責RF Micro Devices 無線產品副總裁EricCreviston 表示，「底面積僅30 平方毫米，高度只有1.5 毫米，這是當今市場上最小的、技術最先進且支援EDGE 的四頻帶功率放大器，我們非常高興宣佈已開始.頂級手機製造商進行生.發運，以實現該.品在多種手機中的使用。通過設計、開發及快速加大生.創新的高整合度功率放大器解決方案，我們能夠使客戶將功能豐富的下一代手機更快地推向市場。」

RFMD表示，其四頻帶PA 提供了性能、成本、尺寸與功能的業界最佳組合。該公司能夠將此產品的底面積縮小到業界領先的30 平方毫米，這一能力主要歸功於RFMD在產品工程設計中的領先地位及其在GaAs HBT 技術方面的豐富經驗，RFMD 首先採用了GaAs HBT 技術，並將其作為蜂窩功率模組的首選半導體工藝技術推向了市場主導地位。在當前及下一代PA 製造中，GaAs HBT 具有不同於其他技術的獨特優勢，例如功率添加效率。功率添加效率對手機製造商來說極.關鍵，因.這是電池使用壽命的主要決定因素。在下一代手機中推出新耗電功能（例如彩屏、照相機及MP3播放器）的驅使下，手機製造商進一步加強了對更高水準功率添加效率的重視。