闪存制造商ST，日前宣布128Mbit的NAND闪存──NAND128W3A2BN6E已开始采用90奈米制程技术制造。全面转移到90奈米制程可同时减小内存芯片的成本与功耗，目前90奈米制程已广泛应用在数字相机、录音设备、PDA、STB、打印机与大容量快闪记忆卡等对成本敏感的消费性设备中。NAND128是当前市场上唯一采用90奈米制程技术的128Mbit闪存。

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NAND128提供超快速数据传输率与擦除能力。该系列所有内存的地址线与数据输入/输出信号都能透过多路传输到一个8位总线，以减少接脚数量，同时能使用模块化NAND接口，能让制造商在无需修改电路板设计情况下，运用高密度或低密度内存制造差异化的系统。

ST提供完整的软件工具链，能加快产品开发速度，并协助扩充内存芯片寿命。这些工具包含纠错码（Error Correction Code，ECC）软件、坏死区块管理（Bad Block Management，BBM），可识别及取代在擦除或编程操作时的失效区块，同时还能将这些区块的数据拷贝到有效区块中；支持平均读写（Wear Leveling）的算法能透过在整个区块内平均分配擦除与编程操作来防止内存老化；其他软件还包括文件系统OS原生参考软件，以及硬件仿真模型。

新组件还包含‘无需介意芯片启动’（Chip Enable Don't Care）功能，可简化微控制器的接口设计，并简化将NAND闪存与NOR闪存、SRAM等整合的过程。另外，独特的组件标识符则能由工厂进行编程，而用户可编程序列码则可让制造商增添安全功能。