快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道技术IGBT，结合了耐崩溃能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭锅和其他IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。NPT沟道技术IGBT采用快捷半导体具有专利的沟道技术和非穿孔式(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄化的晶圆生产制程使得FGA25N120ANTD能够承受最大450mJ的崩溃能量，确保在异常的崩溃模式情况下仍能进行故障安全的(fail-safe)运作。

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快捷半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim表示：「在电磁感应设备中，不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起崩溃模式的情况发生，使得机器在瞬间发生故障。为了解决IH应用中的这些可靠性问题，我们的新型1200V NPT沟道技术IGBT提供业界最佳的耐崩溃能力，还同时把性能方面的权衡优化，以降低工作温度及提升整体的系统效率。」