国际整流器公司(IR)近日宣布,推出一系列25 V及30 V组件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅组件和新款高性能PQFN 3 x 3封装,为电讯系统、网络通讯和高端桌上及笔记本计算机应用的DC-DC转换器,带来高密度、可靠,且高效率的解决方案。
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IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列 |
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是制造技术改进的成果,以全新精密占位空间提供较标准PQFN 3 x 3组件高出最多60%的负载电流效能,同时显著减少整体封装电阻,从而达到极低的导通电阻(RDS(on))。除了低导通电阻,新的高性能PQFN封装加强了热传导性和提高了可靠性,还符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。
该系列包括充当控制MOSFET的经优化组件,提供低闸极导通电阻(Rg)去减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面,新组件采用FETKY(单片式FET及肖特基二极管)组态方式供应,从而缩短逆向复原时间,以加强效率和EMI性能。