國際整流器公司(IR)近日宣布,推出一系列25 V及30 V元件,採用了IR最新的HEXFET MOSFET矽元件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝,為電訊系統、網路通訊和高端桌上及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器,帶來高密度、可靠,且高效率的解決方案。
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IR新款25 V及30 V高性能PQFN功率MOSFET系列 |
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是製造技術改進的成果,以全新精密占位空間提供較標準PQFN 3 x 3元件高出最多60%的負載電流效能,同時顯著減少整體封裝電阻,從而達到極低的導通電阻(RDS(on))。除了低導通電阻,新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導性和提高了可靠性,還符合工業標準及MSL1濕度敏感性測試。
該系列包括充當控制MOSFET的經優化元件,提供低閘極導通電阻(Rg)去減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面,新元件採用FETKY(單片式FET及肖特基二極管)組態方式供應,從而縮短逆向復原時間,以加強效率和EMI性能。