富士通于日前宣布，推出以0.18µm技术为基础之全新SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A此3款型号。FRAM技术将SRAM的快速读写，与非挥发性闪存等优势都整合至一颗芯片。此款全新SPI FRAM系列MB85RSxxx包括3款型号：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度等级。此3款芯片的工作电压范围介于3.0 ～ 3.6V，可承受读写周期达一百亿次，并能将数据保存在55°C的环境下长达10年，且其工作频率已大幅提高至最大25MHz。

因为FRAM产品在写入的处理过程中不需要电压增压器，因此很适合低功率应用。另外，该产品亦提供具有标准内存针脚配置的8针脚塑料SOP封装，并可完全与E2PROM芯片兼容。富士通半导体将本身丰富的开发和制造经验运用于优化整合芯片设计和生产工厂之间最紧密的合作关系，这些优势将能为提供给市场的众多丰富及高质量产品打造最坚实的基础，并兼具稳定的供应链。

富士通半导体除了推出SPI FRAM系列，还提供具备I²C和并列接口的FRAM独立芯片，其密度等级从16Kbit至4Mbit皆备。此外，富士通半导体正计划进一步扩充其FRAM产品阵容以满足更多的市场需求。