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英飞凌推出70 dB讯噪比已封装MEMS麦克风
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年07月26日 星期三

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【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon) 进军已封装矽麦克风市场,推出满足高效能、低杂讯需求的 MEMS 麦克风系列产品。其类比与数位麦克风皆采用英飞凌的双背板 MEMS 技术,拥有杰出的 70 dB 讯噪比 (SNR)。另外,可在 135 dB 声压位准 (SPL) 下提供 10% 的极低失真等级。

英飞凌的双背板 MEMS 技术在两个背板之间嵌入薄膜,能产生优异的讯号品质。
英飞凌的双背板 MEMS 技术在两个背板之间嵌入薄膜,能产生优异的讯号品质。

英飞凌电源管理与多元电子事业处感测器产品系列主管暨资深协理 Roland Helm 博士表示:「这项业务的延伸,是基於我们与全球封装夥伴合作的商业模式,在裸晶MEMS 与 ASIC市场取得了高市占率。我们将持续强化并扩大我们与合作夥伴的裸晶业务,同时也针对低杂讯高阶应用的需求,推出两款已封装麦克风。」

现行的MEMS麦克风技术均采用声波致动薄膜和静态背板,而英飞凌的双背板 MEMS 技术在两个背板之间嵌入薄膜,因此能产生极为优异的讯号品质。此举能获得更隹的高频抗扰性,实现更出色的音讯讯号处理,并将10%总谐波失真 (THD) 的声学过载点提升到135 dB SPL。

70 dB的讯噪比较传统MEMS 麦克风优化了6 dB。这样的功能强化等同於让使用者可从两倍远的距离说出语音指令,而麦克风截取到同质的音讯。此外,这些类比与数位麦克风拥有优异的麦克风对麦克风匹配能力 (+/-1 dB 灵敏度匹配与+/-2相位匹配),适合阵列式实作,这些特色也让MEMS麦克风适合用在高精准度的波束成型与降噪应用上。

低杂讯已封装类比与数位MEMS麦克风采用 4 mm x 3 mm x 1.2 mm MEMS封装,极适合高品质录音和远场语音撷取应用。将於 2017 年第四季开始供应工程样品。预计於 2018 年第一季开始量产。

關鍵字: MEMS  麥克風  声波致动薄膜  声波致动薄膜  Infineon  Infineon 
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