Western Digital今（24）日宣布成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5，提供最先进的快闪记忆体技术。BiCS5采用三层单元（TLC）与四层单元（QLC）两种架构，能以极具吸引力的成本提供卓越的容量、效能与稳定性，满足因连网汽车、行动装置与人工智慧而急速增长的资料量需求。

Western Digital成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5。BiCS5采用TLC与QLC两种架构，能以极具吸引力的成本提供卓越的容量、效能与稳定性。

Western Digital已开始生产512Gb的BiCS5 TLC，并预计在2020年下半年就能开始商业化量产，供应采用新技术的消费性产品。未来，BiCS5 TLC与BiCS5 QLC将提供包括1.33Tb等多样的储存容量选择。

Western Digital记忆体技术与制造部门资深??总裁Steve Paak博士表示：「随着下一个十年的到来，如何增加3D NAND容量以满足庞大且快速增长的资料量需求是重要关键。藉由成功开发BiCS5，Western Digital展现了领先业界的快闪记忆体技术，及强大的计画执行力。我们利用更先进的多层储存通孔（multi-tier memory hole）技术来增加横向储存密度，同时透过增加储存层让3D NAND技术的容量与效能显着提升，以满足客户对稳定性与低成本的期??。」

采用多种新技术与创新制造工艺的BiCS5是Western Digital目前密度最高、最先进的3D NAND技术。第二代多层储存通孔技术、优化的工程设计流程及其他先进的3D NAND储存单元技术大幅提升了晶圆的横向储存单元阵列密度。

此外，BiCS5拥有112层垂直堆叠的储存容量，使每晶圆的储存容量比96层的BiCS4高出40%，可达到最隹成本。新架构设计也为BiCS5??注更高效能，使其I/O效能较BiCS4提高50%。

BiCS5是由Western Digital与技术制造合作夥伴Kioxia共同开发，将於日本三重县四日市及岩手县北上市的合资晶圆厂制造。

BiCS5是以Western Digital完整的3D NAND技术为基础而开发的技术；这些技术已广泛应用於以资料为中心的个人电子装置、智慧型手机、物连网装置与资料中心。