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面对3D堆叠与混合接合挑战 晶圆量测进入超高速时代 (2025.11.20)
随着半导体迈向更小制程节点、3D堆叠与先进封装设计，晶圆几何形貌的微小差异，已成为影响良率与性能的关键变因。晶片设计愈复杂，材料叠层愈多，制程整合挑战也随之放大，在混合接合、晶背供电与高堆叠NAND等先进技术导入下，仅有奈米级的翘曲或高度偏差，都可能造成对准偏移（overlay error）、接合空隙或电性不良 |
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应材研发新一代半导体制造系统 将大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09)
迎接全球AI基础建设热潮，美商应用材料公司近日也发表最新半导体制造系统，将专注在3大关键领域，分别是环绕式闸极（GAA）、电晶体在内的前瞻逻辑制程、高频宽记忆体（HBM）在内的高效能DRAM等 |
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AI资料中心储存挑战剧升 3D NAND技术可满足高阶AI推论需求 (2025.08.06)
随着AI技术快速演进，资料中心储存系统的需求正进入前所未见的高峰。从大型语言模型（LLM）训练到即时推论应用，海量资料的生成、处理与存取对储存基础架构提出前所未有的挑战 |
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2025.08(405)即将出刊 (2025.08.01)
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解锁新一代3D NAND快闪记忆体的垂直间距微缩 (2025.07.15)
3D NAND快闪记忆体的产品目前配有超过300层堆叠氧化层和字元线层，以满足位元储存能力方面的需求。imec正在开发两项可在不牺牲记忆体运作和可靠度的情况下实现垂直间距微缩的关键技术：气隙整合与电荷捕捉层分离 |
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AI驱动记忆体革新 台积电与三星引领储存技术抢攻兆元商机 (2025.06.29)
全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性记忆体解决方案的商业化。
过去两年 |
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建兴储存推出影像录影专用SATA SSD 实现稳定持续的写入效能 (2025.06.24)
建兴储存科技推出SSSTC CVD系列SATA SSD，专为高频率、长时间连续写入应用打造，适用於影像录影、电视录影、监控系统、视讯制作、影音串流、车载影像、边缘感测、工业数据纪录等对写入效能稳定性与耐用性有高度需求的场景 |
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[Computex] 慧荣科技展示新一代 PCIe Gen5 SSD 控制晶片 (2025.05.23)
慧荣科技於 COMPUTEX 2025 展示两款最新的 SSD 控制晶片。首款为 SM2504XT PCIe Gen5 DRAM-less SSD控制晶片，具备超低功耗；另一款为 SM2324 USB4可携式SSD控制晶片，为真正支援 USB4 并内建电力传输 (Power Delivery, PD)的单晶片解决方案 |
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创新3D缓冲记忆体 助力AI与机器学习 (2025.05.06)
imec的研究显示，包含氧化????锌（IGZO）传导通道的3D整合式电荷耦合元件（CCD）记忆体是绝隹的潜力元件。 |
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??创展示Edge AI微系统技术方案 COMPUTEX秀大厂合作项目 (2025.04.27)
??创科技（Etron）日前举办COMPUTEX 2025展前发布会，由董事长卢超群率领集团及子公司干部，展示其在Edge AI领域的最新技术与解决方案。此次发布会聚焦於AI落地应用，涵盖高速传输、3D视觉、隐私保护及记忆体解决方案，全面布局智慧生活 |
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应用材料新一代电子束系统技术加速晶片缺陷检测 (2025.02.25)
电子束成像一直是重要的检测工具，可看到光学技术无法看到的微小缺陷。应用材料公司推出新的缺陷复检系统，帮助半导体制造商持续突破晶片微缩的极限。应材的SEMVision H20系统将电子束（eBeam）技术结合先进的AI影像辨识，能够提供更精准、快速分析先进晶片的奈米级缺陷 |
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科林研发新型导体蚀刻机台具备新颖电浆处理技术 (2025.02.25)
Lam Research科林研发推出先进的导体蚀刻机台 Akara ━ 突破创新电浆蚀刻领域的效能。Akara 具备新颖的电浆处理技术，可实现 3D 晶片制造所需的卓越蚀刻精度和效能，助力晶片制造商克服面临的关键微缩挑战 |
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??侠与SanDisk携手突破3D快闪记忆体技术 NAND速度达4.8Gb/s (2025.02.20)
Kioxia Corporation（??侠）与SanDisk近日共同宣布，在3D快闪记忆体技术上取得重大突破，推出业界领先的技术，不仅实现了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表现卓越 |
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SEMI：2025年将启动18座新晶圆厂建设 (2025.01.08)
根据国际半导体产业协会（SEMI）最新发布的「全球晶圆厂预测报告」，预计 2025 年全球半导体产业将启动 18 座新晶圆厂建设项目，其中包括3座200mm晶圆厂和15座300mm晶圆厂，大部分预计将於 2026年至2027年投产 |
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GenAI时代需求高速资料处理效能 3D NAND技术将无可取代 (2024.12.16)
随着生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）与边缘运算的快速发展，全球对高效能、高容量储存技术的需求急速攀升。虽然GPU与DRAM常被视为推动AI发展的核心，3D NAND技术凭藉其优异的储存密度、可靠性与能源效率，成为支撑AI应用的关键基石，默默扮演着「隐形推手」的角色 |
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HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。
尽管HBM在性能上具有显着优势，但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。
TSV技术是HBM实现高密度互连的关键，但也带来了测试的复杂性 |
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AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
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科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩 (2024.08.06)
Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术加速实现3D NAND目标 (2024.08.06)
随着生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Research科林研发推出第三代低温介电层蚀刻技术Lam Cryo 3.0，已经过生产验证，扩大在3D NAND快闪记忆体蚀刻领域的地位 |
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从应用端看各类记忆体的机会与挑战 (2024.07.02)
各类记忆体在不同领域也就各具优势和挑战。随着技术的进步和应用需求的多样化，记忆体技术将向更高性能、更低功耗和更大容量的方向发展，也会有各类同质或异质性记忆体整合的平台，来提供更加完善的解决方案 |
