NAND快闪记忆体控制晶片品牌慧荣科技今日宣布推出一系列最新款超高效能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4控制晶片解决方案以满足全方位??场需求，包括专为高阶旗舰型Client SSD设计的SM2264、为主流SSD市场开发的SM2267，以及适用於入门级新型小尺寸应用的SM2267XT DRAM-Less控制晶片。

慧荣科技最新款PCIe 4.0控制晶片解决方案展现绝隹效能和超低功耗，连续读写速度高达每秒 7,400/6,800 MB

慧荣最新款SSD控制晶片解决方案符合PCIe 4.0 NVMe 1.4规范，展现Gen4的超高效能和低功耗特性，结合慧荣独家的错误码修正(ECC)技术、资料路径和EMI保护，提供完整、稳定的资料保护，满足储存设备所需的高效稳定需求。全球已有10家重量级客户，包括NAND大厂和SSD OEM采用慧荣科技的Gen 4控制晶片搭载3D TLC或QLC NAND推出新品。

市调公司TrendFocus??总裁Don Jeanette表示：「众所皆知慧荣科技长期以来一直是SSD控制晶片技术的领导者。在Gen 4规格日渐受到市场重视的同时，该公司於此时推出新品正好抓住最好的时机，而未来几年Gen 4势必成为PC、游戏机及其他消费性装置的标准规格。」

慧荣科技总经理苟嘉章表示：「PCIe Gen4将SSD的效能往上推升到另一个层次。我们最新款的PCIe 4.0 SSD控制晶片为消费级SSD应用提供一套完整的解决方案，能满足全球PC OEM和SSD模组领导厂商的长远需求。目前，多家OEM大厂客户已开始导入我们最新款的Gen 4 SSD控制晶片在他们的新品开发中，其中已搭载SM2267控制晶片的SSD已进入量产阶段。」

高效能和车用PCIe Gen 4 解决方案

SM2264主要瞄准高效能和车用级SSD应用，搭载四核心ARM Cortex-R8 CPU，内含四个16Gb/s PCIe资料汇流排，并支援八个NAND通道，每个通道最高可达每秒 1,600 MT。SM2264的先进架构采用12奈米制程，能够大幅提升资料传输速率、降低功耗并提供更严密的资料保护，连续读写效能最高可达7,400MBs /6,800MBs，随机读写速度最高达1,000K IOPS，提供使用者前所未有的超高效能体验。ARM Cortex-R8架构提供高速多执行绪处理能力，可满足新一代储存应用所需的混合工作负载作业需求。

SM2264搭载慧荣科技最新第7代NANDXtend技术，结合慧荣科技专利的最新高效能4KB LDPC纠错码（ECC）引擎和RAID功能，为最新一代的3D TLC和QLC NAND 提供极隹的错误校正能力。

内建SR-IOV功能的SM2264也是车用级储存装置的理想选择，最多可同时为八台虚拟机器(VM)提供直接的高速PCIe介面。SM2264目前进入客户送样阶段。

主流和入门级PCIe Gen 4解决方案

慧荣科技的SM2267和SM2267XT满足主流消费级和高性价比SSD应用需求，具备四个16Gb/s通道的PCIe和四个NAND通道，每个通道的最高速度为1,200MT/s，而连续读写效能更可高达每秒3,900/3,500 MB。

SM2267包含DRAM介面，而SM2267XT DRAM-less控制晶片可在不影响效能的前提下，满足小尺寸产品设计需求。两者均搭载NANDXtend ECC技术，并支援最新一代3D TLC和QLC NAND，提供高效能、高可靠性，最符合经济效益的PCIe NVMe SSD解决方案。

SM2267和SM2267XT已进入量产阶段。