英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。

英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品

这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和.XT互连技术，广泛适用於大功率应用，包括伺服器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、马达驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。

新产品可在更大电流下提供更出色的开关性能，相比於最隹矽元件，其反向恢复电荷（Qrr）和漏源电荷（Qoss）降低80%。通过降低开关损耗，该产品可在缩小系统尺寸的同时，实现开关频率，从而提高能效和功率密度。

沟槽式技术为实现卓越的闸极氧化层可靠性奠定基础，加之经过优化的耐雪崩击穿能力和短路耐受能力，即使在恶劣环境中亦可确保极高的系统可靠性。SiC MOSFET不仅适用於连续硬式换流情况，而且可以在高温等恶劣条件下工作。由於它们的导通电阻（RDSon）受温度的影响小，这些元件实现出色的热性能。

由於具备较宽的闸源电压（VGS）范围，为-5 V至23 V， 支援0 V关断以及大於4 V的闸源??值电压（VGSth），新产品可以搭配标准的MOSFET闸极驱动器IC使用。此外，新产品支援双向拓扑，具有完全的dv/dt可控性，有助於降低系统成本和复杂度，并且易於在设计中使用和整合。

.XT互连技术大幅提高封装的散热性能。与标准互连技术相比，.XT互连技术可额外耗散30%的损耗。英飞凌新推出的采用D2PAK 7引脚封装的SiC MOSFET产品组合包括10款新产品，是市面上型号最齐全的产品系列之一。

采用D2PAK 7引脚封装（TO-263-7）的650 V CoolSiC MOSFET系列新产品现已开放订购。