三菱电机株式会社宣布将於8月1日推出一款50W矽射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模组，用於商用双向无线电的高频功率放大器。该模组提供先进的763MHz至870MHz频段内功率输出50W，整体效率可达到40%，将有助於扩大无线电通信范围并降低功耗。

三菱电机将於8月1日推出新型50W矽射频高功率MOSFET模组，用於商用双向无线电的高频功率放大器。（source : Mitsubishi Electric）

用於各种无线系统的150MHz和400MHz频段，在北美和其他市场已经变得拥挤，因此作为回应，以前用於模拟电视广播的700MHz频段已重新分配用於商用双向无线电，增加对於支援该频段的无线电需求。然而传统的功率放大器的功率损耗较大，因此需要提供内置输入/输出阻抗匹配电路的RF高功率MOSFET模组，和保证输出功率性能。新型矽射频高功率MOSFET（RA50H7687M1）为相容700MHz频段的商用无线电实现了功率输出和整体高效率。