半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出100V耐压的功率MOSFET*1「RY7P250BM」，为AI伺服器48V电源热??拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。

ROHM推出适用於AI伺服器48V电源热??拔电路的100V功率MOSFET

RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断成长，可以轻易替代现有产品。另外新产品同时实现了更宽的SOA耐受量范围*3（条件：VDS=48V、Pw=1ms/10ms）和更低导通电阻（RDS(on)）*4，既可确保热??拔（电源启动）工作时的更高可靠性，亦能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。

为兼顾伺服器的稳定运行和节能，热??拔电路须具有较宽的SOA耐受量范围，以承受大电流负载。特别是AI伺服器的热??拔电路，比起传统伺服器需要更宽的SOA耐受量范围。RY7P250BM的SOA耐受量在脉宽10ms时可达16A、1ms时可达50A，实现业界最隹性能，能够对应过去MOSFET难以支援的高负载应用。

RY7P250BM是具有业界最隹SOA耐受量范围的MOSFET，并且实现了更低的导通电阻，大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA耐受量范围的一般8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻大多为2.28mΩ，而RY7P250BM的导通电阻则降低了约18%，仅有1.86mΩ（条件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。因此有助於提升伺服器电源效率、减轻冷却负担并降低电力成本。

另外RY7P250BM更荣获全球知名云端平台认证推荐，预计未来将在AI伺服器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的伺服器电源领域中，RY7P250BM在更宽的SOA耐受量范围与更低导通电阻之间取得绝隹平衡，因此在云端应用中得到了高度好评。

新产品已经暂以每月100万个的规模投入量产（样品价格800日元/个，未税）。前段制程的生产据点为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），後段制程的生产据点为OSAT（泰国）。另外已开始透过电商平台销售。

今後ROHM将继续扩大适用於伺服器和工业设备48V电源的产品阵容，透过高效率且高可靠性的电源解决方案，为永续ICT基础设施和节能贡献力量。