意法半导体（ST）日前推出新系列射频（RF）功率晶体管。新系列产品为政府通讯、用于紧急救援的专用行动无线电系统（private mobile radio，PMR），以及L波段卫星上连（L-band satellite uplink）设备等应用领域提高无线通信系统的性能。

ST推出新系列射频功率晶体管，采用ST最新的STH5P LDMOS制造技术，可降低讯号在大功率下的失真率。

保全和紧急救援组织及商业通讯公司所使用的无线基地台和中继器等通讯设备，必须在输出大功率高频RF讯号的同时保持低失真率，这两个相互矛盾的要求使系统设计变得更加复杂，并增加了相对的产品成本。多年来市场应用证明，LDMOS技术可以为设计人员实现这些目标。

LET系列RF晶体管采用ST最新的STH5P LDMOS制造技术，拥有更高的功率饱和功能，可降低讯号在大功率下的失真率。新系列产品的工作频率高达2GHz，改进了线性、稳健性和可靠性。能效更较上一代LDMOS产品提高了10-15%。

此外，新系列产品的增益也比上一代产品提高3dB，这有助于简化放大器设计，减少组件数量。其它进阶功能还包括崩溃电压从65V提高至80V，更佳的热性能可提高系统可靠性和负载失匹功能。