以降低如电动汽车等电动设备的营运成本和减少对环境的影响为目标，电源应用厂商意法半导体(ST)推出一款250A表面贴装的功率MOSFET，新产品STV250N55F3低导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能。

新产品STV250N55F3是市场上首款结合ST的PowerSO-10封装和ribbon bonding技术的功率MOSFET，拥有极低的无裸晶( die-free)封装电阻率。 新产品采用ST的高密度STripFET III制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。 STripFET III的其它优点包括︰开关损耗低及抗崩溃的能力。 除了提升散热效率外，九线的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300W。

新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的MOSFET，达到节省电路板空间和材料成本的目的。 标准驱动threshold还有助于简化驱动电路的设计。 STV250N55F3适用于高达 55V的应用。

高达175℃ 的工作温度使STV250N55F3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。 新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保芯片的可靠性和稳固性。 新产品不久还将达到汽车级产品的标准。