以降低如電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境的影響為目標，電源應用廠商意法半導體(ST)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3低導通電阻，可將功率轉換的損耗降至最低，並且能夠提升系統的性能。

新產品STV250N55F3是市場上首款結合ST的PowerSO-10封裝和ribbon bonding技術的功率MOSFET，擁有極低的無裸晶( die-free)封裝電阻率。 新產品採用ST的高密度STripFET III製程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。 STripFET III的其它優點包括︰開關損耗低及抗崩潰的能力。 除了提升散熱效率外，九線的源極連接配置還有助於降低電阻。在25℃時，封裝的額定功率為300W。

新產品的高額定電流可允許工程師設計多個並聯的MOSFET，達到節省電路板空間和材料成本的目的。 標準驅動threshold還有助於簡化驅動電路的設計。 STV250N55F3適用於高達 55V的應用。

高達175℃ 的工作溫度使STV250N55F3適用於高電流的電力牽引設備，如堆高機、高爾夫球車和電動拖板車以及割草機、電動輪椅和電動單車等。 新產品在晶圓和成品階段都經過100%的崩潰測試，可確保晶片的可靠性和穩固性。 新產品不久還將達到汽車級產品的標準。