瑞萨电子近日宣布，推出七款采用HSON封装之功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），适用于汽车电子控制单元，例如引擎管理及电子帮浦马达控制等应用。

七款采用8-Pin HSON封装之功率MOSFET

新产品包括额定电压40V及60V的N Channel MOSFET，及额定电压–30V的P Channel MOSFET，可应用于各类螺线管、马达开关，或电池正负极逆向保护。新款产品具有下列特色：(1)采用HSON封装，尺寸为现有TO-252封装的一半；(2)直流电耐压可达75安培；(3)支持动作温度最高可达175°C。特别是NP75N04YUG产品可处理75安培的连续电流，以及超低的4.8 mΩ最大额定导通电阻，在业界目前采用同等级封装之车用MOSFET中，效率等级最高之产品。

车用电子控制单元的数量逐年增加，对于模块体积小型化、轻量化及功能最大化的需求也随之增加。瑞萨电子新推出的MOSFET产品，专为符合小型化、高功率密度系统的需求而设计。新开发的8-Pin HSON封装质量适用于汽车电子系统，并可维持与体积较大之TO-252封装MOSFET产品相同效能。