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ST推出通过国际电涌保护标准的硅电涌保护组件
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2010年03月17日 星期三

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意法半导体(ST)于昨日(3/17)宣布,推出首款通过IEC61000-4-5国际电涌保护标准的硅电涌保护组件。该新系列产品提供防电涌、防静电放电以及防电气快速瞬时脉冲等电源应用必备的防护功能。

ST推出通过国际电涌保护标准的硅电涌保护组件
ST推出通过国际电涌保护标准的硅电涌保护组件

ST表示,金属氧化物电阻器通常用于防止电涌冲击电源,但硅电涌保护组件更加可靠。在这些产品中,目前只有STIEC45系列符合IEC61000-4-5标准。此外,在高达150°C的作业温度,该系列产品的保护效率仍可保持在75%以上,芯片可焊接在印刷电路板的标准尺寸金属垫片上。这个设计概念为工厂或车辆等高温环境中的设备提供空间效率高的解决方案。

若提供相同的保护功能,其它类型的硅组件通常需要过大的垫片,而且当作业温度超过25°C时,保护能力大幅下降;在125°C时,某些产品实际吸收脉冲峰值功率的能力不足标称数值的40%。STIEC45系列共有五款产品,涵盖24V到33V断态电压范围,已开始量产,采用8 x 6mm SMC表面黏着封装。

關鍵字: 矽電湧保護元件  ST  电路保护装置 
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