Vishay宣布推出超小的20V n信道功率MOSFET+肖特基二极管。SiB800EDK采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK SC-75封装,其将在100 mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。
![Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管](/news/2008/12/17/1904580756.gif) |
Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管 |
当可擕式电子设备变得越来越小时,组件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积,SiB800EDK比采用2mm×2mm封装的器件小36%,同时具有0.75mm的超薄厚度。将两个组件整合到一个封装中不仅节省了空间,而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压,从而降低了电平位移应用中的压降。SiB800EDK具有0.960Ω(1.5V VGS 时)~0.225Ω(4.5V VGS 时)的低导通电阻范围。1.5 V时的低导通电阻额定值可使MOSFET与低电平时的信号一同使用。
该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等可擕式设备的I2C接口与升压转换器中的电平位移转换。SiB800EDK具有ESD保护,并且100%无铅(Pb),无卤素,以及符合RoHS,因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。