恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其RF Power 晶体管产品线，推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率。

NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管

针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准（漏极效率大于50%）、增益（17dB）和达500W的耐用度。

恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括：500W峰值输出功率（在1.4GHz,100µs脉冲宽度，25%占空比时）、17dB增益、50%漏极效率、更佳的耐用度、能够承受高达5dB的过驱动能力、更佳脉冲偏差值（低于0.2dB）、供电电压50V、无毒封装、符合ROHS标准。