安森美半导体（ON Semiconductor）宣布扩充先进制程技术，提供HighQ铜整合被动组件(IPD, Integrated Passive Device)制造服务，这个创新的八吋晶圆技术可以提供比较简单的硅铜技术更高的效能，但在成本上却比昂贵的超高效能砷化镓-金被动产品要低上许多。安森美半导体的HighQ IPD制程技术相当适合用来生产被动组件，例如便携式与无线应用产品中需要更高效能以便取得更长电池使用时间的平衡非平衡转换器、耦合器以及滤波器等。

「直到现在，设计工程师在为电路设计选用组件时，还是经常得为了要提供具有价格竞争力的消费性产品而必须在效能上做出牺牲。」安森美半导体制造服务业务总经理Rich Carruth表示，「砷化镓-金被动组件制程虽然能够提供较好的效能表现，但却由于成本太高而无法应用在大量生产的消费性产品，例如移动电话与其他无线设备上。典型的硅铜被动组件虽然在成本上比砷化镓-金更占优势，但效能表现却不佳，采用安森美半导体 HighQ™制程的被动组件为设计工程师提供了相当好的第三种选择，那就是以比砷化镓-金更有竞争力的价格提供比传统硅铜技术更高的Q值。」

IPD制程目前已经在安森美半导体位于美国的世界级八吋晶圆厂导入生产， HighQ制程技术提供了铜质较厚的电感器、MIM电容器(0.62 fF/um2)以及TiN电阻器(9 ohms/square)，是一款能够符合完整可靠度评估并展现解决方案稳固度的经验证可靠制程。