Mouser Electronics宣布开始供应Cree 的 CAS100H12AM1，为业界第一款将 SiC MOSFET 与 SiC 萧特基二极管 (Schottky diode) 结合至单一半桥封装的产品。

1200V 高频碳化硅半桥模块 BigPic:600x393

Cree CAS100H12AM1 1200V 高频碳化硅半桥模块是第一款市售的全碳化硅 (SiC) 电源模块， 同时也是第一款将 SiC MOSFET 与 SiC 萧特基二极管结合至单一半桥封装的完全合格模块。 此全新的双重模块具备超低损耗，对于高频作业具有高耐受性。 CAS100H12AM1 已证明可在 100kHz 下运作，处理 1200V 阻断时可提供 100A 电流。 较高频率的作业可提供尺寸较小与轻量的系统，并可在系统中使用价格较低的电感器与电容器。 CAS100H12AM1 非常适合工业应用，包括高功率转换器、马达驱动器、太阳能转换器、不断电系统与交换式电源供应器，以及感应加热。

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