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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2010年05月24日 星期一

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快捷半导体(Fairchild)为满足可携式产品设计人员不断追寻效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求,推出采用超紧凑薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。由于此一业界领先的产品组合,设计人员便能够挑选到最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择,包括单P沟道和肖特基二极管组合,单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。

图为快捷半导体采用超紧凑薄型封装的高性能MicroFET MOSFET
图为快捷半导体采用超紧凑薄型封装的高性能MicroFET MOSFET

这些MicroFET MOSFET采用快捷半导体性能先进的PowerTrench MOSFET制程技术,能够实现非常低的RDS(ON)、整体栅极电荷(QG)和米勒电荷(QGD),从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相较于传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

快捷半导体可提供业界最广泛且具有增强热性能的超紧凑薄型1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是可携式应用的理想选择。

關鍵字: Fairchild  电源组件 
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