账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET
适用输入电压较低负载点降压转换器

【CTIMES/SmartAuto 蘇沛榕报导】   2003年03月20日 星期四

浏览人次:【990】

国际整流器公司(International Rectifier)​​,推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET,适用于输入电压较低(一般为3.3V及5V)的负载点降压转换器。新MOSFET的电流处理效能较业界标准30V元件高出15%,非常适用于电信及数据通讯系统、桌上型电脑、伺服器及游戏机内的负载点降压转换器。

图片
图片

全新IRF7476、IRF7475、IRLR3802和IRLU3802 N通道MOSFET,以及IRF7910双N通道MOSFET皆经过最佳化,元​​件导通电阻及栅电荷均较低,传导及切换损耗因而得以大幅降低。

在低输入电压负载点降压转换器中,同步及控制MOSFET的工作周期颇为相似,一般高于30%。因此两种MOSFET可采用类似的规格,同时降低传导及切换损耗。

在6A或以下的负载电流方案中,独立的控制及同步MOSFET能以单一IRF7910双MOSFET代替,大幅节省机板空间。至于10A或以下的应用系统,可选用两个IRF7476或IRF7475 MOSFET;12A或以下电路则可采用IRLR3802。

關鍵字: International Rectifier  电压控制器 
相关产品
IR推出高电流 SupIRBuck 负载点稳压器IR3847
IR推出微电子继电器设计人员手册
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BMD3JJISSTACUKX
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw