功率半导体产品制造商意法半导体(ST)，宣布推出新一系列功率MOSFET产品的第一款产品。新的功率MOSFET系列产品具备极低的ON-resistence及优异的动态和avalanche特性，可帮助客户大幅地降低其照明应用的传导损耗及强化其产品的效能和可靠性。

STD11NM60N

因应商用照明应用市场对更高功率密度和更低成本的产品的持续需求，促使半导体厂商必须致力于提供优化的IC解决方案。新推出的优化功率MOSFET STD11NM60N采用ST第二代具专利的MDmesh技术，最大通态电阻RDS(ON)为450 mOhm，比起上一代MDmeshTM技术，可降低其电阻值高达55%，同时也并不会影响其对temperature dependence的精确控制。

STD11NM60N的主要特性包括一个优异的具dv/dt性能的二极管和出色的avalanche特性，可协助客户确保其工作温度维持在标准的范围内。 因为其传导损耗和功率消耗都很低，此产品还可协助客户缩小其散热器的体积以节省电路板的空间。

此小尺寸的芯片提供超小的DPAK/IPAK和TO-220FP封装，特别适合照明应用产品，如大功率因子(High Power Factor)电子安定器和高强度放电灯管（High Intensity Discharge,HID）的电子安定器。