高温半导体解决方案的CISSOID，引进VENUS的新系列高温30V的P信道功率MOSFET晶体管，其保证操作在摄氐负55度到225度之间。P信道功率MOSFETs的VENUS系列命名为CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A、4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的N信道MOSFETs的SATURN系列。

VENUS功率MOSFETs表现出色的高温性能。在摄氏225度，CHT-PMOS3002的栅极漏电流保持低于50nA，而其漏极电流低至10μA，其开启延迟时间为30ns。此系列导通电阻和输入电容范围分别为从0.4μ至1.7Ω及从150pF至450pF。

CISSOID的VENUS系列在恶劣环境下，从摄氏负55度到225度，使任何需要可靠功率控制的系统能得以设计，从电机驱动器，DC-DC转换器和开关电源，到逆变器。此外，P信道晶体管使设计及高边开关的控制更容易，避免引导或电荷泵技术。有了VENUS产品，系统设计工程师可以节省成本，提高可靠性，改善重量，同时从其应用中禁止液体冷却，例如工业通程控制，汽车电池充电器和飞机执行器。

CHT-PMOS3002、CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008在TO-254金属封装的评估用之样品现在已可立刻提供。数量在200粒以上，起价为欧元201.40一个。