账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年08月21日 星期二

浏览人次:【2461】

东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出两款可应用於车用相关设计最新40V Nch MOSFET - TPWR7904PB & TPW1R104PB,可应用於电动辅助转向系统、负载开关、电动帮浦。

东芝推出散热效果更隹40V Nch功率MOSFETs,符合AEC-Q101标准 。
东芝推出散热效果更隹40V Nch功率MOSFETs,符合AEC-Q101标准 。

此款IC为U-MOS第九代晶片采用沟槽式结构,其确保高散热及低电阻的特性。让散热设计更加灵活。与前一代相比,U-MOS第九代的切换干扰也较低,EMI表现效果较隹。

封装采用DSOP Advance (WF; Wettable Flank) 为侧翼可沾锡的封装结构。双面散热封装,低电阻以及小尺寸。

關鍵字: MOSFET  AEC-Q101  东芝 
相关产品
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性
ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET
东芝小型光继电器适用於半导体测试仪中高频讯号开关
Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装
  相关新闻
» TPCA发布PCB节能减碳指引 协助产业实现低碳转型
» 2024台湾长照暨辅具产业展登场 数位加值引领智慧照护新方向
» 台积电赠工研院三部12寸半导体高阶制程设备 助产学研发接轨国际
» 是德科技扩展自动化测试解决方案 强化後量子密码学安全性
» 攸泰科技正式挂牌上市 瞄准卫星通讯与无人机双轴发展
  相关文章
» 出囗管制风险下的石墨替代技术新视野
» 树莓派推出AI摄影机、新款显示器
» 以爆管和接触器驱动器提高HEV/EV电池断开系统安全性
» 生成式AI引爆算力需求 小晶片设计将是最隹解方
» PCIe传输复杂性日增 高速讯号测试不可或缺

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK85H1RL65USTACUKP
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw