意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出两款双通道电气隔离IGBT和碳化矽（SiC）MOSFET闸极驱动器，能在高压电力转换和工业应用中节省空间，简化SiC和IGBT开关电路设计。

意法半导体双通道闸极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路

IGBT驱动器STGAP2HD和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD利用意法半导体最新的电气隔离技术，并采用SO-36W宽体封装，可承受6kV瞬态电压。此外，+/-100V/ns dv/dt瞬态耐量可防止在高电噪声运作环境下产生杂散导通现象。

两款驱动器皆提供最高4A的闸极控制讯号，双输出脚位为闸极驱动带来更多灵活性，支援导通和关断时间个别调整。主动米勒钳制功能可防止闸极在半桥拓扑快速换向过程中出现尖峰电压。电路保护功能包括过热保护、看门狗安全操作机制，每个通道都有欠压锁定（Under-Voltage Lockout；UVLO）机制，防止驱动器在危险的低效模式下启动。依照SiC MOSFET的技术要求，STGAP2SICD提高UVLO的??值电压，能为电晶体优化效能。

每款元件都有一个在双低边不对称半桥应用中同时开通两个通道的iLOCK脚位，以及防止在传统半桥电路中出现直通电流的互锁保护机制。这两款驱动器在高压轨上的额定电压皆高达1200V，输入至输出传播时间为75ns，提高PWM控制精度。

意法半导体新款双通道电流隔离闸极驱动器具有专用的关断脚位、制动脚位与省电待机脚位，主要应用於电源、驱动器、逆变器、焊接机和充电器。此外，输入脚位可与最低3.3V的TTL和CMOS逻辑讯号相容，以简化驱动器与主微控制器或DSP处理器的连接。

STGAP2HD和STGAP2SICD现已量产。EVALSTGAP2HDM和EVALSTGAP2SICD展示板也已上市，用於快速评估驱动器在驱动半桥功率级时的驱动特性。

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