德州仪器 (TI) 于昨日（1/13）宣布，针对高电流DC/DC应用推出首款透过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。DualCool NexFET功率 MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将通过MOSFET的电流提高50%，并且提供了更好的散热管理。

TI推出新款可降低顶部热阻的功率MOSFET

TI表示，在35A的高电流单相位DC/DC同步降压转换电路应用上，只需要在上端与下端各采用一颗MOSFET，此外，该系列产品之增强型封装技术可将封装顶部的热阻从每瓦10 ~ 15°C降至每瓦1.2°C，进而提升 80% 的功耗效能。

该系列包含5款 NexFET装置，可协助计算机运算与电信系统的设计人员使用更高电流的处理器，在显著节省电路板空间的同时配备容量更大的内存。这些采用先进封装的 MOSFET 可用于桌面计算机、服务器、电信或网络设备、基地台以及高电流工业系统等广泛的终端应用中。

TI 资深副总裁暨全球电源管理部门经理 Steve Anderson指出，为了满足各种基础设备市场对处理功率的更高要求，客户要求以更小的封装实现具有更高电流的DC/DC电源。DualCool NexFET 功率MOSFET在不改变尺寸的同时能处理更多电流，可充分满足客户需求。