國際整流器公司(IR)13日推出IRLR7833及IRLR7821兩款HEXFET功率MOSFET，該產品以全新條形溝道 (Stripe-trench)技術設計，為目前D-Pak封裝上導通電阻最低的30V MOSFET。。與同類直流-直流轉換器MOSFET相比，此兩款以新技術製成的MOSFET能將效率提升高達2.5%，節省高達25%零件數目，可依照實際應用需要而定。新元件是專為同步降壓轉換器電路而設計，適用於伺服器、桌上型和筆記型電腦，以及網路和通訊設備中的負載點(Point-of-load)轉換器。IRLR7833還可用於隔離式轉換器的次級同步整流。

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IR表示，相較於上一代元件，IRLR7833的導通電阻減少50%，IRLR7821的柵電荷則減少30%以上。由於IRLR7833的導通電阻極低，因此特別適合同步MOSFET應用；IRLR7821的極低柵電荷則使它成為理想的控制MOSFET。兩款新元件的額定柵電壓均達20V，因此品質更為堅固耐用。

D-Pak封裝正廣泛採用於同步場效應管(FET)插座，應用領域包括桌上型電腦和電壓調節模組(VRM)設計，及每相電流高至20A的筆記型電腦應用。IR台灣分公司總經理朱文義表示，「新晶片組採用了IR全新的矽技術，有助於提高效率或減少零件數目。在VRM設計中，設計人員可利用三枚IRLR7833 MOSFET取代四枚低端MOSFET，提供更高性能和效益。」