半導體產業單晶圓溼式清洗解決方案的領導設備供應商SEZ Group，20日宣布其已發展出可簡化前段製程(FEOL)光阻去除程序之全新化學製程。SEZ專利的Enhanced Sulfuric Acid(ESA)去除製程使用一系列以硫酸為主要成分的化學製劑，以大幅減少目前在光阻去除機或批次處理的環境中光阻去除製程所需進行的步驟如：光阻重修、後蝕刻與植入光阻去除、以及電漿光阻之殘餘物去除等。這項全溼式化學製程目前正在數個重要顧客的晶圓廠進行單一反應室研發設備的評估，並得到極高的評價。預計下半年開始，將建置在SEZ多反應室FEOL的高量產生產設備上，屆時，效果將更加顯著。

SEZ表示，光阻去除製程不僅費時且耗成本，在FEOL製程須達20個以上的步驟才能完成。其中植入光阻的去除製程花費12至15次的作業時間，加上因電漿光阻去除造成的矽氧化，與接下來透過溼式清洗來去除氧化物，不斷重複這些步驟明顯導致矽晶的累積性損失，因而降低電晶體效能。晶片廠商需克服這些挑戰的溼式清洗製程，在減少整體所需步驟，並同時縮短製程時間以及大幅降低成本的同時，去除最少的矽晶。SEZ與重要顧客緊密合作，借重其單晶圓專業技術來發展具彈性的全溼式化學製程，可免去電漿的使用並在高溫下去除缺陷，單晶圓設備在這方面提供許多批次處理設備所沒有的優勢如：更好的缺陷控制(減少晶圓到晶圓或是從晶圓一面至另一面的雜質顆粒轉移)、更好的製程控制(提升一致性並將基材損失降至最低)、以及最佳的耗材使用率(單晶圓設備可再循環的化學藥劑)。

SEZ執行副總裁暨執行長Kurt Lackenbucher指出：『一如我們所有的技術，這款為因應顧客即時且緊急的需求所設計的FEOL光阻去除應用解決方案，能在FEOL領域中創造建置單晶圓的最佳時機。ESA去除製程加上我們即推出之FEOL機台的組合，將提供光阻去除以及殘餘物清除在一個具有彈性的單晶圓設備內創造出生產快速且性能優異的解決方案。這是我們技術發展藍圖裡下一個策略性步驟，主要是預期顧客在整個晶圓廠內都將需要使用單晶圓技術。』