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ST與Siliconix就雙面冷卻型MOSFET封裝技術達成授權
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年03月14日 星期一

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ST與Siliconix宣佈達成一項合作協議,ST將由Siliconix獲得最新功率MOSFET封裝技術的授權,這項技術使用強制性空氣冷卻方法,透過元件頂端與底部的散熱路徑供了更優良的熱效能。Siliconix為Vishay Intertechnology公司(NYSO:VSH)持有80.4%股權的子公司。

Siliconix提供的技術名為PolarPAK,這種封裝技術的導線架與塑料封膠(plastic encapsulatio)都與標準功率MOSFET封裝所使用的類似,能良好地保護裸晶,而且在製造過程中也很容易管理。與標準SO-8封裝相比,PolarPAK封裝的散熱效率更高,在相同尺寸封裝內可處理兩倍電流。

「隨著DC/DC轉換器體積不斷微縮,將對PCB上各種元件的散熱問題帶來更大挑戰,」ST功率MOSFET部門經理Ian Wilson表示。「封裝技術的提升需要矽片技術的改良來推動。PolarPAK封裝技術擁有極佳的熱處理能力,讓組裝技術呈現了極大的躍進,能讓設計人員強化效能與功率密度。這種封裝技術將與ST針對電腦、數據傳輸與電信應用之功率轉換所開發的STripFETTM MOSFET系列形成完善的互補。」

「與ST簽署這項協議,意味著我們正朝著將PolarPAK推動成為業界標準封裝技術的方向邁進了一大步,該技術能為客戶提供靈活的多來源設計解決方案,」Siliconix總裁暨執行長King Owyang博士表示,「我們很高與,像ST這樣的半導體產業領導廠商也認為PolarPAK將為廣泛的功率MOSFET應用帶來更多效益。」

關鍵字: 電子邏輯元件 
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