快捷半導體(Fairchild) 日前宣佈，開發出一系列針對光電逆變器應用的650V IGBT產品，協助設計人員應對這一產業挑戰。

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快捷半導體公司的場截止IGBT技術能夠讓設計人員開發出具有更高輸入電壓的高可靠系統設計，同時提供具有低導通損耗和開關損耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有高電流處理能力、正溫度系數、嚴格的參數分佈，以及較大安全運作範圍等特點。

更高的崩潰電壓能夠改善寒冷環境溫度下的可靠性，隨著溫度的降低，IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降，因而650V IGBT特別適合在較冷氣候之下運作的太陽光電能逆變器。因為仔細選擇IGBT和飛輪(free-wheeling)二極體是取得最高效率的必要條件，650V IGBT提供快速和平緩的恢復，能夠降低功率耗散，並減少開啟和關斷損耗。