敏博(MEMXPRO Inc.)推出DDR5工業級記憶體模組，時脈速度達4800MHz，包含了288-pin UDIMM與262-pin SODIMM等主流規格，嚴選原廠優質晶片，堅守工控品質標準，提供16GB與32GB主流高容量模組，因應5G時代之邊緣運算裝置、工業電腦、嵌入式系統、智慧製造自動化、網通設備、車載交通、自動駕駛、智慧醫療等下一代高頻高速平台發展應用。

/news/2022/04/21/1719394600S.jpg

Omdia Research預估DDR5在2022年的市場佔有率，將從2021年的1%成長到10%，2024年將達到43%，幾乎佔有所有電腦應用市場近一半的使用率。根據市場研究公司Yole Developpement指出，DDR5將於2023年成為消費性市場主流，DRAM市場價值 1,200億美元，NAND市場價值680億美元，雙雙創下歷史新高。市場需求持續強勁持續到2026年，屆時DRAM記憶體將達到2,000億美元以上的市場規模。敏博觀察，工控領域的相關應用於也將在DDR5技術的帶領下，擁抱創新發展，加快產業智能升級的腳步。

DDR5升級關鍵在於容量、速度與系統穩定性的全面提升。容量方面，與前代DDR4單顆最大容量是16Gb相比， DDR5 的單顆容量可從8Gb到最大64Gb，單條DDR5模組的容量最高可達128GB，為前一代的4倍；速率方面，DDR5 最高6400MHz的頻寬則是DDR4 3200Mz的兩倍；穩定性方面，DDR5 DIMM預設電壓也由DDR4的1.2V降到1.1V運作，可降低８%系統能耗與發熱量，更加節能省電。

DDR5並在記憶體模組上加入電源管理晶片(PMIC)，直接配置電力，提高訊號的完整性並抑制雜訊，適用於低功耗需求與不易散熱的工控裝置平台。另外DDR5每顆IC自帶ECC糾錯功能(On-Die ECC)，可自身修復DRAM晶片內的位元錯誤，幫助提升運算系統的可靠度並降低錯誤產生的機率。

新世代DDR5的架構設計更大幅提升傳輸效能。首先，DDR5有32 個Bank資料組，是DDR4兩倍，使DDR5同時可開啟更多頁面，增加效能。並透過新增的Same Bank Refresh (REFsb)指令，同時存取其他Bank的資料，提升效能。

第二，有支援額外配置ECC的DDR5將雙通道作用於單模組，過去的DDR都是72位元(64位元資料+8位元ECC)，DDR5變成兩組40位元(32位元資料+8位元ECC)，模組上左右各一獨立通道，不但提高資料並行的存取效率，並縮短延遲，加強訊號完整性。

第三，DDR5突發存取長度(Burst Length)由DDR4的BL8翻倍到BL16，一條DDR5模組可同時滿足兩個64 Byte快取區塊的需求，提供雙倍的存取可用性。第四，DDR5亦新增了決策回饋等化器 (Decision Feedback Equalize，DFE)，實現更高的I/O速度和資料傳輸速率。

敏博高效能DDR5 4800 UDIMM與SODIMM記憶體模組符合JEDEC標準，訴求高穩定、高可靠度的工控車載與智慧聯網AIoT應用，經嚴謹測試流程確保相容性，可依產品應用需求選擇鍍膜塗覆(Coating)與側邊填充(SideFill)等加值技術，提高記憶體模組應用的強固性與耐受性，容量包含16GB與32GB，目前已進入量產階段，因應嚴苛環境需求的寬溫記憶體模組也即將導入，滿足客戶對下一代新產品的開發需求。