19家歐洲知名半導體企業和學術機構宣佈正式啟動為期3年、3.6億歐元的Places2Be先進技術試產專案，可支援完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（Fully-Depleted Silicon-On-Insulator ，FD-SOI）技術的產業化。

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體被指定為該專案的負責方。 Places2Be（Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes， Built in Europe）專案旨在於支援28奈米及以下技術節點的FD-SOI試產產線的部署以及在歐洲實現規模生產的雙貨源。Places2Be將有助基於FD-SOI平台的歐洲微電子設計生態系統發展，同時探索此項技術向下一個目標（14/10奈米）發展的可能性。

FD-SOI是下一代低功耗、高性能半導體製程，可取代傳統CMOS製程和FinFET技術。首批FD-SOI系統單晶片預計將被用於消費性電子、高性能運算和網路系統。

專案預算近3.6億歐元，來自7個國家的19個組織參與該專案，在三年專案執行期內，計劃約500名工程人員在歐洲參與專案研發活動，Places2Be是ENIAC聯盟迄今最大的專案，投資方還包括專案成員國的國家機關。Places2Be是ENIAC JU簽定的關鍵使能技術（KETs，key enabling technologies）試產專案之一，旨在於開發對社會具影響力的技術和應用領域。

該專案的FD-SOI製造源位於歐洲兩個最大的微電子聚集地：試產產線在意法半導體的Crolles工廠（法國Grenoble附近），雙製造源在德國Dresden的GlobalFoundries1號工廠。

意法半導體研發合作計劃總監暨專案協調人Francois Finck表示：「Places2Be專案將加強法國Grenoble和德國Dresden兩個微電子聚集地的生態系統發展，除材料和IP投資產生的直接影響外，還會對歐洲整體產業鏈：大中小型企業、創業公司和研究機構產生正面的影響。」