快捷半導體(Fairchild)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業界最佳功率密度和低傳導損耗，能夠滿足這些需求。

FDMC8010採用快捷半導體的PowerTrench技術

FDMC8010採用快捷半導體的PowerTrench技術，非常適合要求在小空間內提供最低RDS(ON) 的應用，包括高性能DC-DC降壓轉換器、負載點(POL)、高效率負載開關和低端切換、穩壓器模組(VRM)及ORing功能。設計人員使用FDMC8010元件，能夠將封裝尺寸從5mm x 6mm減小到3.3mm x 3.3mm，節省66%的MOSFET占位面積。

在隔離型1/16th brick DC-DC轉換器應用中，Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，比具有同等占位面積的競爭解決方案小25%。

此外，該元件降低傳導損耗，從而提高散熱效率多達25%。要瞭解更多的資訊及索取樣品，請瀏覽公司網頁：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC8010.pdf