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英飞凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列:具备优异的RDS(on)与切换效能
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年03月21日 星期四

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英飞凌科技推出全新OptiMOS 6系列,为分立式功率MOSFET技术奠定新技术标准。新产品系列采用英飞凌薄晶圆技术,提供显着的效能优势,并涵盖宽广的电压范围。全新40 V MOSFET系列已针对SMPS的同步整流进行最隹化,适用於伺服器、桌上型电脑、无线充电器、快速充电器及ORing电路。

英飞凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列:具备优异的RDS(on)与切换效能
英飞凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列:具备优异的RDS(on)与切换效能

相较於前一代产品,新款OptiMOS 6 40 V的导通电阻降低了30%,具备更隹的优质系数(Qg x RDS(on)降低29%、Qgd x RDS(on)降低46%)。因此新款装置在SMPS应用中成为在宽广输出功率范围内进行效率最隹化的理想选择,避免在低负载和高负载状况之间进行取舍。

其效率曲线明确显示OptiMOS 6在低输出功率位准表现上优於前代产品,这归功於其优异的切换效率。即使RDS(on)损耗较大时,但仍可在较高的输出功率上维持上述优点。因此,可简化散热设计并减少并联数量,进而降低系统成本。

關鍵字: 晶圆  Infineon 
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