账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
联电率光推出0.13微米2M SRAM
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2000年05月21日 星期日

浏览人次:【3544】

就当台积电5月16日即将于美国矽谷举办年度技术论坛研讨会,并陆续发布0.15微米的多项产品成功于近日量产之际,台积电头号竞争对手联华电子5月15日宣布,已成功采用0.13微米逻辑制程产出2M SRAM晶片,并于五月初产出,良率达到一定水准,成为业界宣布最早量产0.13微米的产品。联电预估,0.13微米的产品可望于年底前进入量产阶段;台积、联电晶圆代工双雄隔海叫阵、对战的热度已再度升温。

關鍵字: 0.15微米  0.13微米  台積電  联华电子  静态随机存取内存 
相关产品
西门子与联华电子合作开发BCD技术平台制程设计套件
M31开发台积电28奈米嵌入式快闪记忆体制程IP
Mentor扩展可支援台积电5奈米FinFET与7奈米FinFET Plus 制程技术的解决方案
ANSYS获台积电开放创新平台生态系统论坛三大奖项
ANSYS针对台积电先进封装技术拓展解决方案
  相关新闻
» 应材於新加坡举行节能运算高峰会 推广先进封装创新合作模式
» SEMI SMG:2024年Q3矽晶圆出货量增6%终端应用发展冷热不均
» 新思科技与台积电合作 实现数兆级电晶体AI与多晶粒晶片设计
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» Ansys、台积电和微软合作 提升矽光子元件模拟分析速度达10倍
  相关文章
» 挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇
» 跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 关於台积电的2奈米制程,我们该注意什麽?
» 灯塔工厂的关键技术与布局

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BM91U5M8STACUK3
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw