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美光推出16Gb低功率单片记忆体 满足AI边缘和5G应用需求
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年08月27日 星期二

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全球记忆体和储存解决方案商美光科技,今日推出业界最高容量的单片16Gb低功率双倍资料速率4X(LPDDR4X)DRAM。美光的16Gb LPDDR4X能够在单一智慧型手机中提供高达16GB的低功率DRAM (LPDRAM),扩大了公司在目前和次世代行动装置记忆体容量和效能方面的领导地位。

美光LPDDR4X也提供基於UFS规范的多晶片封装(uMCP4),以满足行动装置制造商寻求更低功率和更小封装,以设计具备较长电池寿命、较薄尺寸、较吸引人的外形的装置需求。美光开始批量出货LPDDR4X和uMCP4,引领业界转向1z奈米技术节点。

美光行动事业单位资深??总裁暨总经理Raj Talluri博士表示:「无论在旗舰智慧型手机,或是中高端行动装置,都显示资料密集型行动应用正推动消费者对高容量记忆体和储存装置需求成长的趋势。新的16Gb LPDDR4X旨在满足当今资料量极大的应用需求,同时确保能够满足先进人工智慧未来在边缘和高频宽5G应用上的处理需求。」

美光LPDDR4X在相同尺寸中,为分离式设计和低功率多晶片封装提供更高密度,以满足更广泛智慧型手机使用者群的需求。新兴的 5G 行动技术将需要能提供更高资料速率和即时资料处理的记忆体子系统,以为行动装置使用者提供完美的体验。

美光的1z nm LPDDR4X产品可提供业界最低的功耗,同时维持最快LPDDR4时钟频率,高达4,266兆位/秒(Mbps)。对於4K影片播放这类需要耗用大量记忆体的应用程式而言,它所需的功耗较上一代解决方案的功耗最多减少10%。美光LPDDR4X提供目前市面上最高容量的单片16Gb LPDDR4X晶粒(一个封装中可堆叠高达八个晶粒), 在不增加前几代LPDDR4所用封装尺寸的情况下使记忆体容量翻倍。

美光LPDDR4X记忆体解决方案今日已批量供货,提供从64GB+3GB至256GB+8GB的八种不同UFS多晶片封装(uMCP4)且分离式设计的配置。uMCP4解决了中高端行动市场中,人们寻求与旗舰智慧型手机相似效能的行动设备而不断成长的记忆体需求。

關鍵字: DRAM  美光 
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