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独霸编码,笑傲江湖──ASCII与Unicode间的分分合合

为了整合电子位信息交换的共同标准,统一全球各国分歧殊异的文字符号,独霸全球字符编码标准,ASCII与Unicode的分分合合就此展开........
三星发表12层3D-TSV封装技术 将量产24GB记忆体 (2019.10.07)
三星电子今日宣布,已开发出业界首个12层的3D-TSV(Through Silicon Via)技术。此技术透过精确的定位,把12个DRAM晶片以超过6万个以上的TSV孔,进行3D的垂直互连,且厚度只有头发的二十分之一
TrendForce:DRAM八月合约价格止跌 九月持平可能性高 (2019.09.30)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示,八月DRAM合约价与前月持平,DDR4 8GB均价来到25.5美元,而九月合约价格虽然仍在议定当中,但继续持平的可能性高。 从市场面来观察,随着日本政府批准关键半导体原料出囗,七月开始的日韩贸易问题已正式落幕
TrendForce:紫光DRAM厂预计2021年完工 制程是量产最大挑战 (2019.09.05)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示,紫光集团於8月27日宣布与重厌市政府签署合作协定,并在重厌投资DRAM研发中心与工厂,厂房预定2019年年底动工,并於2021年完工。这显示在福建晋华遭到美国禁售之後,以及在中美贸易摩擦影响下,中国加速自主开发DRAM产品的进程
领先全球 美光宣布量产1z 奈米16Gb DDR4 (2019.08.27)
美光科技今日宣布,成为首家开始使用 1z nm 制程技术量产 16Gb DDR4 产品的记忆体公司。 与上一代 1y nm 节点相比,美光的 1z nm 16Gb DDR4 产品显着提高位元密度、大幅增进效能并降低成本
美光推出16Gb低功率单片记忆体 满足AI边缘和5G应用需求 (2019.08.27)
全球记忆体和储存解决方案商美光科技,今日推出业界最高容量的单片16Gb低功率双倍资料速率4X(LPDDR4X)DRAM。美光的16Gb LPDDR4X能够在单一智慧型手机中提供高达16GB的低功率DRAM (LPDRAM),扩大了公司在目前和次世代行动装置记忆体容量和效能方面的领导地位
TrendForce:第二季DRAM产值季减9.1%,第三季报价仍持续看跌 (2019.08.08)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查表示,第二季各产品别的报价走势,除了行动式记忆体产品(discrete mobile DRAM/eMCP)跌幅相对较缓、落在10-20%区间外,包含标准型、伺服器、消费性记忆体的跌幅都将近三成,其中伺服器记忆体因库存情况相对严峻,跌幅甚至逼近35%
第三季NAND Flash合约价跌幅收敛,Wafer价格则逆势上扬 (2019.08.05)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出,7月各类产品合约价已出炉,整体而言合约价仍趋向走跌,但受到东芝跳电对产出直接冲击,导致主流产品价格跌幅收敛
TrendForce : 旺季市场回温有限 第三季行动记忆体价格跌幅仍逾10% (2019.07.30)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查表示,第三季智慧型手机市场旺季需求增长幅度趋缓,不如以往旺季动辄10%以上的季成长表现,预估今年智慧型手机生产总量仍较去年衰退近5%
应用材料实现物联网与云端运算适用的新型记忆体技术 (2019.07.23)
应用材料公司因应物联网 (IoT) 和云端运算所需的新记忆体技术,推出创新、用於大量制造的解决方案,有利於加快产业采纳新记忆体技术的速度。 现今的大容量记忆体技术包括 DRAM、SRAM 和快闪记忆体,这些技术是在数十年前发明,已广为数位装置与系统所采用
TrendForce:紫光正式进军DRAM产业 中国再启DRAM自主开发之路 (2019.07.01)
TrendForce旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示,紫光集团於6月30日正式发文公告筹组DRAM事业群,由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长,而执行长由高启全担任
TrendForce:市场不确定性攀升 第三季NAND Flash价格难反弹 (2019.06.20)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出,随着中美贸易争端升温,2019年智慧型手机及伺服器的需求量将低於原先预期,加上CPU缺货问题仍对笔记型电脑出货略有影响,导致eMMC/UFS、SSD等产品第三季旺季出货量恐不如预期,合约价跌势难止
中国IC自制计画来势汹汹 IC Insights对成果持疑 (2019.06.14)
随着中美关税和贸易日趋紧张,中国政府和厂商更坚定要让中国IC产业快速有效地成长,以削弱当前对美国和其他西方国家产出之IC零件的依赖性。就记忆体IC市场来说,一些头条和报告已宣称中国「势不可挡」,将追上三星、SK海力士和美光的产量和技术水准,但IC Insights认为现实可能不是如此
中美贸易战与华为事件Q3 DRAM价格跌幅将扩大至15% (2019.06.09)
TrendForce旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出,受到美国禁用华为事件持续发酵,华为智慧型手机以及伺服器产品在未来的两至三个季度恐将持续遭受严重的出货阻碍,冲击下半年DRAM产品的旺季需求与价格落底时间
[COMPUTEX] 美光助拳AI运算 持续深耕记忆体与储存技术 (2019.05.29)
针对越来越吃重的数据储存与运算需求,美光(Micron)今日指出,在资料为王的今日,数据几??就是全球的货币,而记忆体和储存技术对於建构更好的AI架构有着关键性的影响
电音趴人数破天荒!千万人「嗨」出游戏未来 (2019.04.15)
全球最大型的电音派对在今年 2 月展开,这场音乐盛事吸引了超过 1000 万名来自世界各地的粉丝朝圣,举办地点在电竞游戏《要塞英雄》里的欢乐公园(Pleasant Park),「单场表演」同时圈起千万名粉丝造访
TrendForce:DRAM跌势恐将持续至下半年 (2019.03.25)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出,受库存过高影响,DRAM第一季合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%。然而在价格加速下跌的状态下,并未刺激需求回温,交易仍显清淡,预期DRAM均价在库存尚未去化完成影响下,跌势恐将持续至第三季
TrendForce:第一季DRAM合约价罕见出现大幅下修,跌幅为2011年来最大 (2019.03.06)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查,由於DRAM产业正值供过於求的市况,大部分交易已经改为月结价(Monthly Deals),2月份更罕见出现价格大幅下修。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%,是继2011年以来单季最大跌幅
TrendForce:2018年第四季DRAM产值正式反转向下 (2019.02.26)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示,DRAM报价於2018年第四季开始反转向下,造成DRAM整体产业营收下滑。由於需求端的库存水位普遍偏高,导致采购力道薄弱,连带使得DRAM供应商的位元出货(sales bit)多呈现大幅季衰退
TrendForce:库存仍高+需求疲软,第二季DRAM合约价季跌幅达15% (2019.02.19)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查,2019年上半年DRAM产业仍处於供过於求的状态,导致价格持续下跌。第一季受淡季效应影响,加上由去年第四季递延至今的库存水位仍然偏高
??创开发AI终端专用的Small Form Factor新型RPC DRAM技术 (2019.01.29)
??创科技开发了一种新DRAM架构-RPC DRAM技术,提供x16 DDR3 - LP DDR3数据频宽,采仅使用22个开关信号之40引脚FI-WLCSP封装,256 Mb DRAM体积为2 x 4.4 mm,所有40个引脚均采用业界标准之400微米锡球间距安装在周边,使其成为许多可穿戴的影音物联网设备的理想记忆体

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8 TrendForce:第四季DRAM合约价二次下修2019年第一季跌幅持续扩大
9 中国IC自制计画来势汹汹 IC Insights对成果持疑
10 TrendForce:十月份DRAM合约价格正式起跌 4GB面临30美元保卫战

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