Rambus宣布其运用Mobile Memory Initiative（MMI）所开发的最新芯片测试达到突破性功耗效能。最新的芯片测试结果显示，高带宽行动装置的内存控制器透过MMI创新技术的运用可达到2.2mW/Gbps功耗效能。相较于初期的MMI芯片测试结果，此一数值减少将近1/3的功耗，而且大幅超过LPDDR2 400内存控制器所能达到的10mW/Gbps。

自从2009年2月推出以来，Rambus的MMI便致力以极低功耗达到高带宽，进而实现新一代智能型手机、小笔电、可携式游戏机及可携式媒体产品的先进应用。采用MMI新技术的内存系统以4.3Gbps运作时，可使单一行动DRAM装置达到17GB/s以上的内存带宽。

Rambus研究及技术开发资深副总裁Martin Scott表示，电池技术改进的速度远落后于新一代行动装置的效能需求。运用MMI来开发新技术可达到带宽及功耗方面的突破性进展，进而实现先进的应用并维持长效的电池电力。

Rambus的MMI提供讯号处理及内存架构专业知识，其中包括极低摆幅差动讯号（Very Low-Swing Differential Signaling）、FlexClocking架构及进阶电源状态管理（Advanced Power State Management），可协助开发关键的创新技术。此外，Rambus的FlexPhase及微线程（Microthreading）技术亦大幅提升行动平台的功耗效能。

Rambus并于10月底美国硅谷Santa Clara会议中心举行的ARM TechCon 3中，演讲Rambus如何面对行动内存的挑战。此次的主题为「行动内存是否将耗用大量电力」，着重内存系统效能、电源、外型体积及相关成本等层面，并且针对行动市场内最佳内存架构的制造，讨论在扩展性、电源效率、电源状态结束延迟（power state exit latency）、频率回复（clock recovery）、讯号完整性（signal integrity）及低成本封装等问题上的因应之道。