账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2005年11月25日 星期五

浏览人次:【4016】

功率半导体及管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier,简称IR),推出用于荧光灯的IRS2153D型电子镇流管。这款新型的600V自振式半桥IC包含内置启动二极管,能够简化电路设计。

/news/2005/11/25/1746381212.jpg

这款新型镇流管IC不论在效率或性能方面,皆胜过效率较低的旧款自振式双极晶体管解决方案。IRS2153D的振荡器频率精准度为3%,可以让设计人员在制造过程中选择最佳的外部组件,体现均匀的电灯亮度。新组件更可轻易在外部范围体现预热功能,在正确时段内设定正确的预热频率,有效延长电灯寿命。

IRS2153D完全不含铅,并且包含2V的欠压闭锁磁滞,能够实现更坚固耐用的镇流管电路,同时在出现突发瞬变时避免不必要的停顿。此外,新组件内设有欠压闭锁电路,确保高端浮动电压能够正确切换高端闸驱动器输出,进而保护外部的MOSFET。

IRS2153D以IR专有的高压IC(HVIC)技术制作而成,最适合用来设计用于驱动MOSFET和IGBT的产品。当中的闸驱动器输出利用一个免锁存CMOS电路来设计。这种技术把一个低压的驱动器整合于一个高压的电平位移器,在单一的单片式IC内,同时支持高端和低端的闸驱动器。

IR台湾分公司总经理朱文义说:「IR的HVIC技术最适合电子镇流器业界的需要。我们的照明产品继续在简化电路、改善效能和节省能源方面派上用场。」

關鍵字: IR  朱文义 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» 工研院主办VLSI TSA研讨会登场 聚焦异质整合与小晶片、高速运算、AI算力
» 国科会扩大国际半导体人才交流 首座晶创海外基地拍板布拉格
» SEMI:2023年全球半导体设备市况 出货微降至1,063亿美元
» TrendForce:台湾强震过後 半导体、面板业尚未见重大灾损
» 亚湾2.0以智慧科技领航国际 加速产业加值升级
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK84TDBJWXWSTACUKY
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw