国际整流器公司(International Rectifier)​​推出全新IRF8010 HEXFET功率MOSFET系列，其导通电阻(RDS(on)) 较先前产品减少一成。全新的IRF8010具有较高的导通电流及较低的导通电阻(一般为12 mohm)， 因此能大幅提升系统效率。

IRF8010 HEXFET

全新MOSFET以重覆或单脉冲雪崩能量(EAR及EAS) 为额定标准，温度可高达175°C。此外，这一系列MOSFET的输入电容和栅电荷均减少到最低，有助于简化栅极驱动器电路、减少生产成本，同时增强转换效能。这些性能特点更使IRF8010 MOSFET成为隔离式电路布置、高效率不间断电源(UPS) 和直流对直流(DC-DC) 转换器中最佳的一次侧开关装置。

IR台湾分公司总经理朱文义表示:「马达控制器制造商可利用全新IRF8010 MOSFET，以更低成本提供直流截波器、交流马达变流器及直流马达的应用，并且提升效率、坚固程度和可靠性。」

全新IRF8010 MOSFET完全符合业界品质标准，并提供​​全方位最佳化的热阻特性，最适合应用于要求极为严格的功率和高温的环境之中。这种操作情况在推高机、直流截波器和电动车辆等马达控制应用中非常普遍。

将温升规格化让设计工程师可建立适当的功率裕度，更能使长期重载、要求严格的功率周期下操作之产品更加可靠耐用。