国际整流器公司（International Rectifier），推出IRF6156型20V双重双向式HEXFET功率MOSFET。该元件采用共同汲极配置，与采用TSSOP-8封装的元件比较起来，除了体积减少了80%之外，厚度更大幅减少到0.8 mm以下。

IRF6156

IRF6156采用IR专利FlipFET封装技术，由于体积小巧，非常适合应用在锂电池内的安全及保护电路，适用于行动电话、笔记型电脑、PDA及数位相机等电子产品。

IR表示，由于锂电池为易燃品，为了避免过度充电而造成危险，必须采用保护电路以确保安全。除此之外，保护电路亦适用于侦测短路情况，同时隔离电池与负载。

IR的专利FlipFET封装不含引线架或模塑化合物，晶片本身就是封装，成功将结点至印刷电路板的热阻减低至35°C/W，而SO-8封装元件的热阻却高于60°C/W。此外，新设计的最大结点至环境热阻为50°C/W。 IRF6156各个接头均设于晶片同一面，能将杂散电感及其他元件封装损耗减至最低，甚至完全消除。

IR台湾分公司总经理朱文义表示:「我们的FlipFET MOSFET非常适用于体积日益轻巧的手持设备，不但不影响电池的供电能力，厂商还可利用标准表面贴装设备和技术把新元件装入印刷电路板，提供更多的便利。」