英飞凌科技于中国国际电源展览会(CPS EXPO)的会展中，宣布采用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封装的OptiMOS 3 40V、60V和80V N信道MOSFET已上市，其无导线封装处于上述崩溃电压时，具备最低的导通电阻(RDS(on))。相较于标准的TO(晶体管外观)封装，SuperSO8产品提高多达50%的功率密度，尤其在服务器SMPS(开关式电源)中应用做同步整流的时候。例如，新的顶级SSO8装置一般在20%的空间需求上具有一般D2-Pak封装导通电阻值。

英飞凌科技电源管理与驱动事业部总监Gerhard Wolf说道：「低电阻和低电感的无导线封装把封装对整体装置行为的影响降至最低，并将OptiMOS 3硅技术的能力推向最高。」

OptiMOS 3 40V装置的最大导通电阻可降低至1.8毫奥姆，60V装置是2.8毫奥姆及80V装置是4.7毫奥姆，此导通电阻值将成为SuperSO8封装使用量的新规范，与竞争对手相比，其导通电阻降低多达50%。这些装置的优值系数(FOM,计算公式为导通电阻乘以闸电荷)相较于标准TO封装的相同之处，提升了多达25%，因此开关更快速，而且能将开关和闸驱动损耗降至最低。驱动程序因此能提高功率密度及减少热度产生。SSO8封装的低电感封装(低于0.5 nH，相较于TO-220方案的5至10 nH) 进一步改善整体效率并将开关时的鸣声降至最低。整体封装高度为1mm以及Rth-jt(热阻、接合点至顶端)为16° K/W的SuperSO8，不但对于内嵌式系统中执行顶端散热的方案有帮助，对于在3D整合系统中作为垂直定位的PCB型模块也有贡献。